SI4186DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
部件编号：
SI4186DY-T1-GE3
替代型号：
PMBT2222A , 215 , SMP-MSLD-PCE-5T , MAX6633MSA+ , 3413.0120.22 , ST4-40-2.50-L-D-P-TR , SPX3819M5-L-3-3/TR , LMV932DMR2G , EFM8BB10F8G-A-SOIC16 , AO4402 , DMG3402L-7 , BAT60AE6327HTSA1 , SI8710CC-B-IS , ADUM3221ARZ , MCP1405-E/P
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
RoHS：
YES
SI4186DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
90 nC @ 10 V
功耗（最大）：
3W (Ta), 6W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
35.8A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.6mOhm @ 15A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3630 pF @ 10 V
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