GT60N321(Q)
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
部件编号：
GT60N321(Q)
替代型号：
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
RoHS：
NO
GT60N321(Q) 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
输入类型：
Standard
反向恢复时间 (trr)：
2.5 µs
集电极电流 (Ic)（最大）：
60 A
集电极脉冲电流 (Icm)：
120 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1000 V
功率 - 最大：
170 W
包装/箱：
TO-3PL
供应商设备包：
TO-3P(LH)
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.8V @ 15V, 60A
Td（开/关）@ 25°C：
330ns/700ns
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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