GT30J121(Q)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
部件编号：
GT30J121(Q)
替代型号：
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
RoHS：
YES
：
GT30J121(Q) 规格
安装类型：
Through Hole
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
600 V
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
集电极脉冲电流 (Icm)：
60 A
集电极电流 (Ic)（最大）：
30 A
供应商设备包：
TO-3P(N)
功率 - 最大：
170 W
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.45V @ 15V, 30A
Td（开/关）@ 25°C：
90ns/300ns
开关能量：
1mJ (on), 800µJ (off)
测试条件：
300V, 30A, 24Ohm, 15V
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标准包装数量：1657
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