GT50J121(Q)
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
部件编号：
GT50J121(Q)
替代型号：
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
RoHS：
NO
GT50J121(Q) 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
集电极电流 (Ic)（最大）：
50 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
600 V
输入类型：
Standard
集电极脉冲电流 (Icm)：
100 A
功率 - 最大：
240 W
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.45V @ 15V, 50A
包装/箱：
TO-3PL
开关能量：
1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
90ns/300ns
测试条件：
300V, 50A, 13Ohm, 15V
供应商设备包：
TO-3P(LH)
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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