NP36P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
部件编号:
NP36P06SLG-E1-AY
替代型号:
STD35P6LLF6,IPBT-110-H1-T-D-RA-K,NP36P06KDG-E1-AY,IPBD-10-D-K,EEH-ZK1E470R,1864341,BTN8962TAAUMA1,24452,LD1117S50CTR,3220-10-0100-00,FH1600015,282841-2,MMBT2222ALT1G,7914J-1-000E,1825910-6
制造商:
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
RoHS:
YES
NP36P06SLG-E1-AY 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss):
60 V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
Vgs(最大):
±20V
场效应管类型:
P-Channel
包装/箱:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
工作温度:
175°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
52 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
36A (Tc)
供应商设备包:
TO-252 (MP-3ZK)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
3200 pF @ 10 V
功耗(最大):
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
30mOhm @ 18A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:10315
数量
单价
国际价格
2500
0.84
2100
5000
0.8
4000
12500
0.78
9750
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