IPB180N04S4H0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
部件编号：
IPB180N04S4H0ATMA1
替代型号：
AUIR2085STR,TLE9180D31QKXUMA1,AUIRB24427STR,IPB180N04S401ATMA1,MA5332MSXUMA1,IPB100N04S4H2ATMA1,IPB180N04S400ATMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
RoHS：
YES
IPB180N04S4H0ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 180µA
功耗（最大）：
250W (Tc)
包装/箱：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
180A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
225 nC @ 10 V
供应商设备包：
PG-TO263-7-3
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.1mOhm @ 100A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
17940 pF @ 25 V
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