RGTH60TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
部件编号：
RGTH60TS65DGC11
替代型号：
RGTH60TS65DGC13
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
RoHS：
YES
RGTH60TS65DGC11 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
输入类型：
Standard
包装/箱：
TO-247-3
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 30A
供应商设备包：
TO-247N
集电极脉冲电流 (Icm)：
120 A
测试条件：
400V, 30A, 10Ohm, 15V
集电极电流 (Ic)（最大）：
58 A
反向恢复时间 (trr)：
58 ns
功率 - 最大：
194 W
栅极电荷：
58 nC
Td（开/关）@ 25°C：
27ns/105ns
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：2046
数量
单价
国际价格
1
3.97
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30
3.15
94.5
120
2.7
324
510
2.4
1224
1020
2.06
2101.2
2010
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