RGTH60TS65GC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
部件编号:
RGTH60TS65GC11
替代型号:
制造商:
ROHM Semiconductor
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
描述:
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
RoHS:
YES
RGTH60TS65GC11 规格
安装类型:
Through Hole
工作温度:
-40°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型:
Trench Field Stop
输入类型:
Standard
包装/箱:
TO-247-3
电压 - 集电极发射极击穿(最大):
650 V
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 30A
供应商设备包:
TO-247N
集电极脉冲电流 (Icm):
120 A
测试条件:
400V, 30A, 10Ohm, 15V
集电极电流 (Ic)(最大):
58 A
栅极电荷:
58 nC
Td(开/关)@ 25°C:
27ns/105ns
功率 - 最大:
197 W
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1609
数量
单价
国际价格
1
3.91
3.91
30
3.09
92.7
120
2.65
318
510
2.35
1198.5
1020
2.01
2050.2
2010
1.9
3819
5010
1.83
9168.3
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