RGTH80TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
部件编号：
RGTH80TS65DGC11
替代型号：
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
RoHS：
YES
RGTH80TS65DGC11 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
输入类型：
Standard
集电极脉冲电流 (Icm)：
160 A
包装/箱：
TO-247-3
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
集电极电流 (Ic)（最大）：
70 A
供应商设备包：
TO-247N
测试条件：
400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)：
58 ns
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 40A
栅极电荷：
79 nC
Td（开/关）@ 25°C：
34ns/120ns
功率 - 最大：
234 W
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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