RGT40NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
部件编号：
RGT40NS65DGTL
替代型号：
RGT40NL65DGTL,1930420000,IKB20N60TATMA1,VS-60EPS08-M3,1607520000,PZU20B2,115
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS
RoHS：
YES
RGT40NS65DGTL 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
集电极电流 (Ic)（最大）：
40 A
输入类型：
Standard
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
集电极脉冲电流 (Icm)：
60 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
供应商设备包：
LPDS
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 20A
测试条件：
400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)：
58 ns
栅极电荷：
40 nC
Td（开/关）@ 25°C：
22ns/75ns
功率 - 最大：
161 W
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