RGT8NS65DGTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS
部件编号：
RGT8NS65DGTL
替代型号：
制造商：
ROHM Semiconductor
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS
RoHS：
YES
RGT8NS65DGTL 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
IGBT类型：
Trench Field Stop
输入类型：
Standard
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
反向恢复时间 (trr)：
40 ns
集电极电流 (Ic)（最大）：
8 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
650 V
集电极脉冲电流 (Icm)：
12 A
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 4A
供应商设备包：
LPDS
功率 - 最大：
65 W
栅极电荷：
13.5 nC
Td（开/关）@ 25°C：
17ns/69ns
测试条件：
400V, 4A, 50Ohm, 15V
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