MG12200D-BN2MM
IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
部件编号:
MG12200D-BN2MM
替代型号:
FF200R12KT4HOSA1
制造商:
Wickmann / Littelfuse
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
描述:
IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
RoHS:
YES
MG12200D-BN2MM 规格
安装类型:
Chassis Mount
工作温度:
-40°C ~ 125°C (TJ)
包装/箱:
Module
电压 - 集电极发射极击穿(最大):
1200 V
输入:
Standard
IGBT类型:
Trench Field Stop
NTC热敏电阻:
No
电流 - 集电极截止(最大):
1 mA
配置:
Half Bridge
集电极电流 (Ic)(最大):
290 A
功率 - 最大:
1050 W
输入电容 (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
供应商设备包:
D3
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 200A (Typ)
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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