GPA015A120MN-ND
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
部件编号：
GPA015A120MN-ND
替代型号：
制造商：
SemiQ
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
RoHS：
YES
GPA015A120MN-ND 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1200 V
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.5V @ 15V, 15A
集电极电流 (Ic)（最大）：
30 A
测试条件：
600V, 15A, 10Ohm, 15V
集电极脉冲电流 (Icm)：
45 A
供应商设备包：
TO-3PN
栅极电荷：
210 nC
IGBT类型：
NPT and Trench
反向恢复时间 (trr)：
320 ns
功率 - 最大：
212 W
开关能量：
1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
25ns/166ns
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制造商标准交期：待定
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