GPA025A120MN-ND
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
部件编号：
GPA025A120MN-ND
替代型号：
制造商：
SemiQ
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
描述：
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
RoHS：
YES
GPA025A120MN-ND 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：
1200 V
集电极电流 (Ic)（最大）：
50 A
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型：
Standard
测试条件：
600V, 25A, 10Ohm, 15V
供应商设备包：
TO-3PN
集电极脉冲电流 (Icm)：
75 A
功率 - 最大：
312 W
反向恢复时间 (trr)：
480 ns
IGBT类型：
NPT and Trench
栅极电荷：
350 nC
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic：
2.5V @ 15V, 25A
开关能量：
4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td（开/关）@ 25°C：
57ns/240ns
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