GPA030A135MN-FDR
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
部件编号:
GPA030A135MN-FDR
替代型号:
制造商:
SemiQ
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
描述:
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
RoHS:
YES
GPA030A135MN-FDR 规格
安装类型:
Through Hole
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT类型:
Trench Field Stop
包装/箱:
TO-3P-3, SC-65-3
输入类型:
Standard
集电极电流 (Ic)(最大):
60 A
集电极脉冲电流 (Icm):
90 A
供应商设备包:
TO-3PN
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 30A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):
1350 V
反向恢复时间 (trr):
450 ns
功率 - 最大:
329 W
Td(开/关)@ 25°C:
30ns/145ns
栅极电荷:
300 nC
测试条件:
600V, 30A, 5Ohm, 15V
开关能量:
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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