IXFL38N100Q2

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IXFL38N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264

Número de pieza：

IXFL38N100Q2

Modelo alternativo：

PET-04-02-S-VT , IXA37IF1200HJ , DSEP60-12AR , MIC5219-5.0YMT-TR , ACS756KCB-050B-PFF-T , 0705450039 , FI-WE31P-HFE , MURS160T3G , 643412-1

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264

RoHS：

YES

：

IXFL38N100Q2

IXFL38N100Q2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1000 V

Paquete / Estuche：

TO-264-3, TO-264AA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

250 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

380W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

29A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

280mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5.5V @ 8mA

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

13500 pF @ 25 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

ISOPLUS264™

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