IXFP7N80P

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IXFP7N80P

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB

Número de pieza：

IXFP7N80P

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXFP7N80P

IXFP7N80P Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

800 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

32 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 1mA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

7A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

200W (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1890 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

1.44Ohm @ 3.5A, 10V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1899

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

5.61

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50

4.44

222

100

3.81

381

500

3.39

1695

1000

2.9

2900

2000

2.73

5460

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