IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Número de pieza：
IXTA36N30P
Modelo alternativo：
IXTA36N30P-TRL , UC2843N , AS4C256M16D3LC-12BIN , P6SMB150CA-E3/52 , VS-20CTH03S-M3 , IXFH12N90P , FDB33N25TM , MAX16042TP+ , LT4363HDE-2#PBF , YC164-FR-076K8L , 1N5819UR-1 , 0470.500DRSNP , STB46N30M5 , RT3215-32.768-9-TR , IXTA42N25P , IXTA36N30P-TRL
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
RoHS：
YES
IXTA36N30P Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5.5V @ 250µA
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
70 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2250 pF @ 25 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
300 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
36A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
110mOhm @ 18A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3200
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
5.43
5.43
50
4.31
215.5
100
3.7
370
500
3.28
1640
1000
2.81
2810
2000
2.65
5300
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