IXTP180N10T

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IXTP180N10T

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

Número de pieza：

IXTP180N10T

Modelo alternativo：

CSD19531KCS , IXFP180N10T2 , IRLB4030PBF

Fabricante：

Wickmann / Littelfuse

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP180N10T

IXTP180N10T Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4.5V @ 250µA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

6900 pF @ 25 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

180A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

480W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

151 nC @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

6.4mOhm @ 25A, 10V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：4765

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

7.01

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50

5.6

280

100

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501

500

4.42

2210

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3.97

3970

2000

3.73

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