FDA33N25

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FDA33N25

MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN

Número de pieza：

FDA33N25

Modelo alternativo：

FQA40N25 , XC3S100E-4TQG144C , XC3S50AN-4TQG144C

Fabricante：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN

RoHS：

YES

：

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FDA33N25 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

250 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 250µA

Disipación de energía (máx.)：

245W (Tc)

Paquete / Estuche：

TO-3P-3, SC-65-3

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

33A (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2200 pF @ 25 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-3PN

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

46.8 nC @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

94mOhm @ 16.5A, 10V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：2433

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

3.06

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510

1.85

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