SUM85N15-19-E3
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Número de pieza：
SUM85N15-19-E3
Modelo alternativo：
MTSW-150-09-L-S-330 , SQM85N15-19_GE3 , IRFS4321TRLPBF , SMAT70A-13-F , 853-47-018-10-001000 , IRF7855TRPBF , G6K-2P-RF DC5 , IRFS4115TRLPBF , VI20100SG-E3/4W , LTC4311ISC6#TRPBF , 9808-0-15-01-16-27-04-0 , 74HC00D , NSR1020MW2T1G , XC3S2000-4FGG676I , 1N4148WS
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
RoHS：
YES
SUM85N15-19-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
85A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4750 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
19mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
3.75W (Ta), 375W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1975
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
3.73
2984
1600
3.2
5120
2400
3.01
7224
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