IRF7524D1PBF

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IRF7524D1PBF

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

Número de pieza：

IRF7524D1PBF

Modelo alternativo：

IRF7524D1TRPBF

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

RoHS：

NO

：

IRF7524D1PBF IRF7524D1PBF

IRF7524D1PBF Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Paquete / Estuche：

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo FET：

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

20 V

Vgs (máx.)：

±12V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

700mV @ 250µA (Min)

Disipación de energía (máx.)：

1.25W (Ta)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

2.7V, 4.5V

Función FET：

Schottky Diode (Isolated)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

1.7A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Paquete de dispositivo del proveedor：

Micro8™

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

240 pF @ 15 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

8.2 nC @ 4.5 V

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