IRF6216PBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Número de pieza：
IRF6216PBF
Modelo alternativo：
IRF6216TRPBF , PA1005.100NL , MAATSS0021TR-3000 , BC817-40LT1G , SI4455DY-T1-GE3 , FQB12P20TM , BAT54SLT1G , BC807-40LT1G , SFH690BT , RCWCTE , MADRCC0007TR , FDS6375 , 5AGXFB1H4F35C4G , PS2501L-1-A , ADUM1201CRZ-RL7 , IRF7413ZTRPBF
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
RoHS：
YES
IRF6216PBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SO
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Disipación de energía (máx.)：
2.5W (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2.2A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
49 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1280 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
240mOhm @ 1.3A, 10V
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