APTGT100A120D1G
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Número de pieza：
APTGT100A120D1G
Fabricante：
Microsemi Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
Descripción：
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
RoHS：
NO
APTGT100A120D1G Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
1200 V
Aporte：
Standard
Tipo IGBT：
Trench Field Stop
Termistor NTC：
No
Configuración：
Half Bridge
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 100A
Corriente: corte del colector (máx.)：
3 mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce：
7 nF @ 25 V
Paquete / Estuche：
D1
Paquete de dispositivo del proveedor：
D1
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
150 A
Potencia - Máx.：
520 W
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