IRF7526D1PBF

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IRF7526D1PBF

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

Número de pieza：

IRF7526D1PBF

Modelo alternativo：

IRF7526D1TRPBF

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

RoHS：

NO

：

IRF7526D1PBF IRF7526D1PBF

IRF7526D1PBF Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Paquete / Estuche：

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo FET：

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

30 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

1V @ 250µA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

2A (Ta)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

180 pF @ 25 V

Disipación de energía (máx.)：

1.25W (Ta)

Función FET：

Schottky Diode (Isolated)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

11 nC @ 10 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

Micro8™

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

200mOhm @ 1.2A, 10V

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