SI7121DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Número de pieza：
SI7121DN-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI7461DP-T1-GE3 , SI7153DN-T1-GE3 , SIS443DN-T1-GE3 , SI7121ADN-T1-GE3 , SI7617DN-T1-GE3 , LTC4007EGN#TRPBF , SI7997DP-T1-GE3 , SIS434DN-T1-GE3 , SIS402DN-T1-GE3 , SI7119DN-T1-GE3 , SIS413DN-T1-GE3 , SI7716ADN-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7121DN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Temperatura de funcionamiento：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Vgs (máx.)：
±25V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
16A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
65 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1960 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)：
3.7W (Ta), 52W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：13925
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.57
1710
6000
0.55
3300
9000
0.53
4770
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