SI7601DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Número de pieza：
SI7601DN-T1-GE3
Modelo alternativo：
ADP1864AUJZ-R7
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7601DN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET：
P-Channel
Temperatura de funcionamiento：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
16A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
27 nC @ 5 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.6V @ 250µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1870 pF @ 10 V
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