SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7852ADP-T1-GE3
Modelo alternativo：
CSD25402Q3A , DMTH8012LPSW-13 , SI3440DV-T1-GE3 , TSM340N06CP ROG , CSD17313Q2 , PETC-04-12-04-01-T-VT-LC , LT3724EFE#PBF , MF-GSMF300/36X-2 , LTC7003EMSE#TRPBF , SMF12A-M3-08 , 3586KTR , BSC123N08NS3GATMA1 , DMTH10H010LCTB-13 , 0997020.WXN , 0997010.WXN
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7852ADP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
80 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
8V, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
30A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
17mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1825 pF @ 40 V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：10199
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
1.08
3240
6000
1.03
6180
9000
1
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