SIA419DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Número de pieza：
SIA419DJ-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
RoHS：
YES
SIA419DJ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.2V, 4.5V
Vgs (máx.)：
±5V
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SC-70-6
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1500 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
850mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 5.9A, 4.5V
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