STP11NM60ND

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STP11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

Número de pieza：

STP11NM60ND

Modelo alternativo：

STW34NM60N

Fabricante：

STMicroelectronics

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

RoHS：

YES

：

STP11NM60ND

STP11NM60ND Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 250µA

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

600 V

Vgs (máx.)：

±25V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

30 nC @ 10 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

10A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

90W (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

450mOhm @ 5A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

850 pF @ 50 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1600

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

4.52

4.52

50

3.59

179.5

100

3.07

307

500

2.73

1365

1000

2.34

2340

2000

2.2

4400

5000

2.11

10550

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