TPCF8102(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Número de pieza：
TPCF8102(TE85L,F,M
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
RoHS：
NO
TPCF8102(TE85L,F,M Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Lead
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET：
P-Channel
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
700mW (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.2V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
19 nC @ 5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 3A, 4.5V
Paquete de dispositivo del proveedor：
VS-8 (2.9x1.5)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1550 pF @ 10 V
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