IXFN30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Número de pieza：
IXFN30N120P
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
RoHS：
YES
IXFN30N120P Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
310 nC @ 10 V
Vgs (máx.)：
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
19000 pF @ 25 V
Paquete / Estuche：
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-227B
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Disipación de energía (máx.)：
890W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
30A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
350mOhm @ 500mA, 10V
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