IXTP36N30P

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IXTP36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB

Número de pieza：

IXTP36N30P

Modelo alternativo：

STP46NF30 , IRF300P226 , IPA60R360P7SXKSA1 , SPP06N80C3XKSA1 , STP45N40DM2AG

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP36N30P

IXTP36N30P Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5.5V @ 250µA

Disipación de energía (máx.)：

300W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

70 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2250 pF @ 25 V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

300 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

36A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

110mOhm @ 18A, 10V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：2371

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

5.26

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50

4.17

208.5

100

3.58

358

500

3.18

1590

1000

2.72

2720

2000

2.56

5120

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