IXTA200N055T2

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IXTA200N055T2

MOSFET N-CH 55V 200A TO263

Número de pieza：

IXTA200N055T2

Modelo alternativo：

IXTA200N055T2-7 , IXTA200N055T2-TRL , BC807-16LT1G , S8KC-13 , MMSZ3V3T1G , V120ZA6P , BC817-16LT1G , BAS19LT1G , 1SMA5927BT3G

Fabricante：

Wickmann / Littelfuse

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 55V 200A TO263

RoHS：

YES

：

IXTA200N055T2

IXTA200N055T2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

55 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Disipación de energía (máx.)：

360W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-263AA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

4.2mOhm @ 50A, 10V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

200A (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

6800 pF @ 25 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

109 nC @ 10 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1600

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

4.47

4.47

50

3.54

177

100

3.04

304

500

2.7

1350

1000

2.31

2310

2000

2.18

4360

5000

2.09

10450

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