IXTA36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Número de pieza：
IXTA36P15P
Modelo alternativo：
IXTA36P15P-TRL , IXTA26P20P , TMP75AQDRQ1 , MMSZ5246BT1G , DD26M10000 , SI4056ADY-T1-GE3 , IXTA44P15T , ECS-.327-12.5-34QCS-TR , SIR873DP-T1-GE3 , FQA36P15 , SI2319CDS-T1-GE3 , 2N7002-T1-GE3 , LT6550IMS#PBF , BSS138BK , 215 , IXTA44P15T-TRL , IXTA36P15P-TRL
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
RoHS：
YES
IXTA36P15P Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
36A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
55 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3100 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
110mOhm @ 18A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3655
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
7.28
7.28
50
5.82
291
100
5.2
520
500
4.59
2295
1000
4.14
4140
2000
3.87
7740
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