IXTQ10P50P

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IXTQ10P50P

MOSFET P-CH 500V 10A TO3P

Número de pieza：

IXTQ10P50P

Modelo alternativo：

IXTH10P50P , MF72-010D20 , FQP3P50 , FQB4N80TM , IXTH7P50 , IXTP10P50P , IXTH20P50P , IXTX32P60P , IXTA10P50P , IXTK40P50P

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 500V 10A TO3P

RoHS：

YES

：

IXTQ10P50P IXTQ10P50P

IXTQ10P50P Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo FET：

P-Channel

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-3P

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Paquete / Estuche：

TO-3P-3, SC-65-3

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

50 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

300W (Tc)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

10A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

1Ohm @ 5A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2840 pF @ 25 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1835

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

8

8

30

6.38

191.4

120

5.71

685.2

510

5.04

2570.4

1020

4.53

4620.6

2010

4.25

8542.5

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