IXTQ52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Número de pieza：
IXTQ52P10P
Modelo alternativo：
FQA36P15 , ST-2TA103 , IRF5210PBF , CWX813-025.0M , IXTH52P10P , STPS30M100ST , ATS-PCB1017 , ATS-PCBT1095 , AK138-2 , TIP47G , IXTQ36P15P , MJE15035G , LTC3824EMSE#TRPBF , G900P15T , IXTH76P10T
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
RoHS：
YES
IXTQ52P10P Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-3P
Paquete / Estuche：
TO-3P-3, SC-65-3
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
52A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 52A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2845 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1610
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
8
8
30
6.38
191.4
120
5.71
685.2
510
5.04
2570.4
1020
4.53
4620.6
2010
4.25
8542.5
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