SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7430DP-T1-GE3
Modelo alternativo：
NUD4700SNT1G , ZXTR2112F-7 , LDFL004272VS-V0E , TC78B009FTG , EL , 10AX057H3F34I2LG , 227AVG035MFBJ , DF2B36FU , H3F , LTC7000IMSE#PBF , LT4356MPMS-1#PBF , SIR632DP-T1-RE3 , A759MX447M1HAAE028 , DMP4065S-7 , BSH108 , 215
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7430DP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
8V, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
26A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
43 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 5A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1735 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)：
5.2W (Ta), 64W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：7735
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
1.51
4530
6000
1.44
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