SI7820DN-T1-GE3

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SI7820DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

Número de pieza：

SI7820DN-T1-GE3

Modelo alternativo：

CDBHD2100-G , G2002A , PDS4200H-13 , ZVN3320FTA , BZX585-C18 , 115 , 0422002.MR , SI7119DN-T1-GE3

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

RoHS：

YES

：

SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

6V, 10V

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Disipación de energía (máx.)：

1.5W (Ta)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Paquete de dispositivo del proveedor：

PowerPAK® 1212-8

Paquete / Estuche：

PowerPAK® 1212-8

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

18 nC @ 10 V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

200 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

1.7A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

240mOhm @ 2.6A, 10V

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