IPB50R250CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
Número de pieza:
IPB50R250CPATMA1
Fabricante:
IR (Infineon Technologies)
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Descripción:
MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
RoHS:
NO
IPB50R250CPATMA1 Especificaciones
Tipo de montaje:
Surface Mount
Tipo FET:
N-Channel
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.):
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
10V
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
13A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor:
PG-TO263-3-2
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
36 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.):
114W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
3.5V @ 520µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1420 pF @ 100 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
550 V
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
Cantidad
Precio unitario
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