IPB70N10S312ATMA1

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IPB70N10S312ATMA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Número de pieza：

IPB70N10S312ATMA1

Modelo alternativo：

AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

RoHS：

YES

：

IPB70N10S312ATMA1 IPB70N10S312ATMA1

IPB70N10S312ATMA1 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Disipación de energía (máx.)：

125W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

66 nC @ 10 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

70A (Tc)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 83µA

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

4355 pF @ 25 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

PG-TO263-3-2

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

11.3mOhm @ 70A, 10V

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