IXTY08N100D2

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IXTY08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

Número de pieza：

IXTY08N100D2

Modelo alternativo：

IXTY08N100D2-TRL , PA0367ANLT , IXTY01N100 , BSP135H6327XTSA1 , IXTY1R6N100D2-TRL , IXTY01N100D

Fabricante：

Wickmann / Littelfuse

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

RoHS：

YES

：

IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1000 V

Paquete / Estuche：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-252AA

Disipación de energía (máx.)：

60W (Tc)

Función FET：

Depletion Mode

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

800mA (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

325 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

21Ohm @ 400mA, 0V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

14.6 nC @ 5 V

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Número de envases estándar：1600

Cantidad

Precio unitario

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1

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3.33

233.1

140

2.86

400.4

560

2.54

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2.18

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1.97

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