IXTP3N100D2

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IXTP3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Número de pieza：

IXTP3N100D2

Modelo alternativo：

PT12-21C/TR8 , IXTP08N100D2 , SM6T6V8CA , ESE-24MV1T , IXTP6N50D2 , IXTP6N100D2 , IXTP1R6N100D2 , IXTP3N50D2

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP3N100D2

IXTP3N100D2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1000 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

3A (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)：

125W (Tc)

Función FET：

Depletion Mode

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1020 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

5.5Ohm @ 1.5A, 0V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

37.5 nC @ 5 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1600

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

4.95

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50

3.92

196

100

3.36

336

500

2.98

1490

1000

2.55

2550

2000

2.41

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