IXTA3N50D2
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Número de pieza：
IXTA3N50D2
Modelo alternativo：
IXTA3N50D2-TRL , IXTA3N50D2-TRL , IRF830STRLPBF , LR8K4-G , IXTA6N50D2-TRL , IXTA3N100D2 , NCP432BVSNT1G , IXTA6N50D2 , 28C0236-0BS-10 , BLM21PG221SN1D
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
RoHS：
YES
IXTA3N50D2 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3A (Tc)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disipación de energía (máx.)：
125W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
500 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AA
Función FET：
Depletion Mode
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1070 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.5Ohm @ 1.5A, 0V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：2431
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
5.47
5.47
50
4.33
216.5
100
3.72
372
500
3.3
1650
1000
2.83
2830
2000
2.66
5320
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