IXTA1R6N100D2

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IXTA1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263

Número de pieza：

IXTA1R6N100D2

Modelo alternativo：

IXTA1R6N100D2-TRL , IXTA1R6N100D2-TRL , IXTA1R6N100D2HV , IXTY1R6N100D2 , IXTA3N100D2 , IXTA08N100D2 , IXTA1N170DHV

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263

RoHS：

YES

：

IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1000 V

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Disipación de energía (máx.)：

100W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-263AA

Función FET：

Depletion Mode

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

27 nC @ 5 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

1.6A (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

645 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

10Ohm @ 800mA, 0V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1721

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

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4.1

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50

3.26

163

100

2.78

278

500

2.48

1240

1000

2.12

2120

2000

2

4000

5000

1.91

9550

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