IXTP6N100D2

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IXTP6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

Número de pieza：

IXTP6N100D2

Modelo alternativo：

IXTP08N100D2 , STP8NK100Z , IXTH6N100D2 , IXTP6N50D2 , IXTH6N50D2 , IXTH16N50D2 , IXTP3N50D2 , IXTP3N100D2

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP6N100D2

IXTP6N100D2 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1000 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)：

300W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

6A (Tc)

Función FET：

Depletion Mode

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

95 nC @ 5 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2650 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

2.2Ohm @ 3A, 0V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1600

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

10.11

10.11

50

8.07

403.5

100

7.22

722

500

6.37

3185

1000

5.73

5730

2000

5.37

10740

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