IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Número de pieza：
IXTA6N100D2
Modelo alternativo：
IXTA6N100D2-TRL , IXTA6N100D2-TRL , IXTH6N100D2 , 10054999-R0600BULF , IXTA6N100D2HV , MC34708VM , EP4CE10F17C8N , IXTA3N100D2 , DS2502P-E48+ , MMSZ4689T1G
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
RoHS：
YES
IXTA6N100D2 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1000 V
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AA
Función FET：
Depletion Mode
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
95 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2650 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
2.2Ohm @ 3A, 0V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1644
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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10.3
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50
8.22
411
100
7.36
736
500
6.49
3245
1000
5.84
5840
2000
5.48
10960
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