IPI80P03P4L07AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Número de pieza：
IPI80P03P4L07AKSA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
RoHS：
NO
IPI80P03P4L07AKSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
Paquete / Estuche：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
80A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5700 pF @ 25 V
Vgs (máx.)：
+5V, -16V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO262-3
Disipación de energía (máx.)：
88W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 130µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
7.2mOhm @ 80A, 10V
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