IPP60R125C6XKSA1

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IPP60R125C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3

Número de pieza：

IPP60R125C6XKSA1

Modelo alternativo：

SIHG100N60E-GE3 , IPP60R040C7XKSA1 , 2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3

RoHS：

YES

：

IPP60R125C6XKSA1 IPP60R125C6XKSA1

IPP60R125C6XKSA1 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

600 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

PG-TO220-3

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

30A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

125mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

3.5V @ 960µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

96 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2127 pF @ 100 V

Disipación de energía (máx.)：

219W (Tc)

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：2071

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

6.09

6.09

50

4.83

241.5

100

4.14

414

500

3.69

1845

1000

3.16

3160

2000

2.97

5940

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