STB26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Número de pieza：
STB26NM60N
Modelo alternativo：
R6024ENJTL , IPB60R180P7ATMA1 , AOB27S60L , NVB110N65S3F , DMN3730U-7 , FCB20N60FTM , BAT54SFILMY , R6020KNJTL , STB33N65M2 , STB24NM60N , STB21N65M5 , FCB20N60TM , FDV303N
Fabricante：
STMicroelectronics
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
RoHS：
YES
STB26NM60N Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
20A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
140W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1800 pF @ 50 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
165mOhm @ 10A, 10V
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